Detektionsverfahren eines Kurzschlusses in einem Elektrischen Schaltkreis, der einen Igbt-Transistor Umfasst, und Entsprechende Steuerungsvorrichtung

Details

Veröffentlichungs-Nr.

EP3299827

Aktenzeichen

EP17192582

Anmeldetag

22. September 2017

Veröffentlichung

2. Dezember 2020

Erteilung

2. Dezember 2020

Rechtsraum

EP

IPC

G01R31/52// H02H3/44

Abstract

La présente invention concerne un procédé de détection d'un court-circuit dans un circuit électrique comprenant un transistor (14) du type IGBT, le transistor comportant une grille (G), un collecteur (C) et un émetteur (E), et définissant un état passant dans lequel un courant principal s'écoule entre le collecteur et l'émetteur et un état bloqué dans lequel le collecteur est isolé électriquement de l'émetteur. Le procédé de détection comprend l'observation du signe de la dérivée temporelle du courant principal (110) dans une fenêtre temporelle d'observation (TOBS) de longueur prédéterminée et la détection d'un court-circuit dans cette fenêtre temporelle d'observation en fonction du signe de la dérivée temporelle du courant principal.

Anmelder

Firma

ALSTOM Transport Technologies

Land

🇫🇷 Frankreich

Fachgebiete