Halbleiterscheibe und Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterscheibe

EP3300100 Art B1 3. Januar 2024

Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP3300100
Aktenzeichen
EP17192046
Anmeldetag
20. September 2017
Veröffentlichung
3. Januar 2024
Erteilung
3. Januar 2024
Rechtsraum
EP
IPC
H01L21/3105H01L29/20
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
Infineon Technologies AG
Land
🇩🇪 Deutschland
🇩🇪 Infineon Technologies

Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.

4.872 Patente in unserer Datenbank

Vertreten von

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen