Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterbauelementstruktur mit einer Treppenstufenstruktur

EP3300112 Art B1 30. April 2025

Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3300112
Aktenzeichen: EP17192331
Anmeldetag: 21. September 2017
Veröffentlichung: 30. April 2025
Erteilung: 30. April 2025
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/311H10B41/27H10B41/50H10B43/27H10B43/50

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Micron Technology, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Micron Technology

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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