Halbleiterbauelement mit einem Ldmos-Transistor, Monolithische Integrierte Mikrowellenschaltung und Verfahren
EP3301713
Art B1
3. November 2021
Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3301713
- Aktenzeichen
- EP17192052
- Anmeldetag
- 20. September 2017
- Veröffentlichung
- 3. November 2021
- Erteilung
- 3. November 2021
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L23/522H01L29/78H01L23/48H01L21/768H01L23/66H01L49/02H01L29/10H01L29/40
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Infineon Technologies AG
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Infineon Technologies
Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.
4.942 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
-
JENSEN & SON
JENSEN & SON · London