Verfahren zur Herstellung eines Verbundwafers mit Oxideinkristalldünnschicht
EP3306644
Art B1
16. März 2022
Anmelder: Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3306644
- Aktenzeichen
- EP16803411
- Anmeldetag
- 1. Juni 2016
- Veröffentlichung
- 16. März 2022
- Erteilung
- 16. März 2022
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/02H01L21/265H01L21/425H01L27/12H01L41/187H01L41/312H01L21/762
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Shin-Etsu Chemical
Japanisches Chemieunternehmen mit Sitz in Tokio. Shin-Etsu Chemical stellt Siliziumwafer für Halbleiter, Silikonprodukte, PVC und weitere Spezialchemikalien für Elektronik-, Bau- und Industrieanwendungen her.
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