Verfahren zur Herstellung eines Verbundwafers mit Oxideinkristalldünnschicht

EP3306645 Art B1 8. Januar 2020

Anmelder: Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3306645
Aktenzeichen: EP16803412
Anmeldetag: 1. Juni 2016
Veröffentlichung: 8. Januar 2020
Erteilung: 8. Januar 2020
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/762H01L21/02H01L41/312

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Shin-Etsu Chemical

Japanisches Chemieunternehmen mit Sitz in Tokio. Shin-Etsu Chemical stellt Siliziumwafer für Halbleiter, Silikonprodukte, PVC und weitere Spezialchemikalien für Elektronik-, Bau- und Industrieanwendungen her.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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