Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterelements mit einer Schicht zum Einfangen von Ladungen

EP3308391 Art B1 26. Dezember 2018

Anmelder: Soitec 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3308391
Aktenzeichen: EP16727436
Anmeldetag: 1. Juni 2016
Veröffentlichung: 26. Dezember 2018
Erteilung: 26. Dezember 2018
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/324H01L21/322H01L21/762

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Soitec
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 Soitec

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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