Heterostruktur und Verfahren zur Herstellung

EP3308411 Art B1 13. Oktober 2021

Anmelder: Soitec 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3308411
Aktenzeichen: EP16728029
Anmeldetag: 9. Juni 2016
Veröffentlichung: 13. Oktober 2021
Erteilung: 13. Oktober 2021
Rechtsraum: EP
IPC: H01L41/08H01L41/312

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Soitec
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 Soitec

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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