Inhärent Selektive Vorläufer zur Abscheidung von Übergangsmetalldünnschichten der Zweiten oder Dritten Reihe
EP3310788
Art A1
25. April 2018
Anmelder: INTEL Corporation 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3310788
- Aktenzeichen
- EP15895814
- Anmeldetag
- 18. Juni 2015
- Veröffentlichung
- 25. April 2018
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- C23C16/18C23C16/04C07F1/02H01L21/205C07F1/00H01L21/768
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- INTEL Corporation
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Intel
US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.
26.645 Patente in unserer Datenbank
Vertreten von
-
HGF
HGF · München
-
HGF Limited
HGF Limited · Den Haag