Dotierte Barriereschichten in Epitaxiegruppe-Iii-Nitriden

EP3311414 Art B1 17. August 2022

Anmelder: Raytheon Company 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3311414
Aktenzeichen: EP16731410
Anmeldetag: 31. Mai 2016
Veröffentlichung: 17. August 2022
Erteilung: 17. August 2022
Rechtsraum: EP
IPC: H01L29/778H01L29/36H01L29/20H01L29/207

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Raytheon Company
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Raytheon Company

US-amerikanisches Rüstungs- und Technologieunternehmen mit Sitz in Massachusetts, heute Teil von RTX Corporation. Entwickelt Verteidigungssysteme, Radartechnik, Flugabwehr, Sensorik und Luftfahrtelektronik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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