Verfahren zur Formung eines Substratdurchgangs und Halbleiterbauelement mit Solch einem Substratdurchgang

EP3312874 Art A1 25. April 2018

Anmelder: ams AG 🇦🇹

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3312874
Aktenzeichen: EP16194866
Anmeldetag: 20. Oktober 2016
Veröffentlichung: 25. April 2018
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/768H01L23/48

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: ams AG
Land: 🇦🇹 Österreich

🇩🇪 ams OSRAM

ams OSRAM International GmbH ist ein deutsch-österreichischer Hersteller von Sensoren und optoelektronischen Bauteilen, entstanden aus dem Zusammenschluss von ams und Osram.

1.365 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von