Verfahren zur Herstellung von Ohmschen Kontakten zu Halbleitern mit Quantisierten Metallen

EP3314635 Art B1 30. August 2023

Anmelder: INTEL Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3314635
Aktenzeichen: EP15897299
Anmeldetag: 27. Juni 2015
Veröffentlichung: 30. August 2023
Erteilung: 30. August 2023
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/3205H01L21/336H01L21/28H01L29/08H01L21/285H01L29/417H01L29/45

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: INTEL Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Intel

US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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