Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung des Halbleiterbauelements
EP3316285
Art A1
2. Mai 2018
Anmelder: Renesas Electronics Corporation 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3316285
- Aktenzeichen
- EP17190335
- Anmeldetag
- 11. September 2017
- Veröffentlichung
- 2. Mai 2018
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/8234H01L29/78H01L27/088
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Renesas Electronics Corporation
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Renesas Electronics
Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Tokio, spezialisiert auf Mikrocontroller, analoge Bauelemente und Halbleiterlösungen unter anderem für die Automobil- und Industrieelektronik.
1.103 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Addiss, John William
London, Großbritannien
518
Patente gesamt
31
Fachgebiete
10
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
Betten & Resch
Betten & Resch · München