Transistor mit Hoher Elektronenmobilität mit Abgestufter Rückseitenbarrierenregion
EP3321968
Art A1
16. Mai 2018
Anmelder: Infineon Technologies Austria AG 🇦🇹
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3321968
- Aktenzeichen
- EP17201705
- Anmeldetag
- 14. November 2017
- Veröffentlichung
- 16. Mai 2018
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/778// H01L29/10H01L29/20
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Infineon Technologies Austria AG
- Land
- 🇦🇹 Österreich
🇦🇹
Infineon Technologies Austria
Österreichische Konzerngesellschaft des deutschen Halbleiterherstellers Infineon mit Sitz in Villach. Entwickelt und fertigt Halbleiterbauelemente für Automobil-, Energie- und Industrieanwendungen.
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Vertreten von
Moore, Derek
London, Großbritannien
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