Verfahren zur Herstellung eines Substrats

EP3326195 Art B1 14. September 2022

Anmelder: Soitec 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3326195
Aktenzeichen: EP16741587
Anmeldetag: 13. Juli 2016
Veröffentlichung: 14. September 2022
Erteilung: 14. September 2022
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/02

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Soitec
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 Soitec

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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