Seitlich Diffundierte Metalloxid-Halbleiterbauelemente mit Leicht Dotierten Isolationsschichten
EP3327790
Art A1
30. Mai 2018
Anmelder: NXP USA, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3327790
- Aktenzeichen
- EP17203915
- Anmeldetag
- 27. November 2017
- Veröffentlichung
- 30. Mai 2018
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/78H01L21/761H01L29/06H01L29/10
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- NXP USA, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
NXP USA
US-amerikanische Gesellschaft des Halbleiterkonzerns NXP, die Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation und Industrieelektronik entwickelt.
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Fachgebiete
Weitere Vertreter
-
Miles, John Richard
NXP Semiconductors · Romsey