Verfahren zur Herstellung eines Epitaktischen Siliciumcarbid-Einkristallwafers

EP3330415 Art B1 12. März 2025

Anmelder: Resonac Corporation, Showa Denko K.K., Nippon Steel & Sumitomo Metal Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP3330415
Aktenzeichen
EP16830636
Anmeldetag
29. Juli 2016
Veröffentlichung
12. März 2025
Erteilung
12. März 2025
Rechtsraum
EP
IPC
H01L21/20C30B29/36H10D62/832
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firmen
Resonac Corporation
Showa Denko K.K.
Nippon Steel & Sumitomo Metal Corporation
Land
🇯🇵 Japan
🇯🇵 Resonac

Japanischer Chemiekonzern mit Sitz in Tokio, hervorgegangen aus Showa Denko. Das Unternehmen stellt unter anderem Halbleitermaterialien, Elektronikchemikalien und funktionale Chemieprodukte her.

794 Patente in unserer Datenbank

🇯🇵 Showa Denko

Japanisches Chemieunternehmen mit Sitz in Tokio, seit 2023 als Resonac Holdings firmierend. Aktiv in Petrochemie, Elektronikmaterialien, Batteriematerialien sowie Halbleiterchemikalien.

2.327 Patente in unserer Datenbank

🇯🇵 Nippon Steel

Japanischer Stahlkonzern mit Sitz in Tokio, einer der größten Stahlhersteller der Welt. Aktiv in der Produktion von Stahl für Automobilbau, Bauwesen und Schiffbau sowie in Werkstoff- und Verfahrenstechnik.

5.379 Patente in unserer Datenbank

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen