Verfahren zur Herstellung eines Epitaktischen Siliciumcarbid-Einkristallwafers
Anmelder: Resonac Corporation, Showa Denko K.K., Nippon Steel & Sumitomo Metal Corporation 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3330415
- Aktenzeichen
- EP16830636
- Anmeldetag
- 29. Juli 2016
- Veröffentlichung
- 12. März 2025
- Erteilung
- 12. März 2025
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/20C30B29/36H10D62/832
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Resonac Corporation
Showa Denko K.K.
Nippon Steel & Sumitomo Metal Corporation - Land
- 🇯🇵 Japan
Japanischer Chemiekonzern mit Sitz in Tokio, hervorgegangen aus Showa Denko. Das Unternehmen stellt unter anderem Halbleitermaterialien, Elektronikchemikalien und funktionale Chemieprodukte her.
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