Halbleiterbauelement, Rc-Igbt und Verfahren zur Herstellung des Halbleiterbauelements
EP3331025
Art B1
21. Juli 2021
Anmelder: Renesas Electronics Corporation 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3331025
- Aktenzeichen
- EP17191025
- Anmeldetag
- 14. September 2017
- Veröffentlichung
- 21. Juli 2021
- Erteilung
- 21. Juli 2021
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/739H01L29/06H01L29/08H01L29/40H01L29/423H01L29/861H01L21/18H01L21/331H01L21/329
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Renesas Electronics Corporation
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Renesas Electronics
Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Tokio, spezialisiert auf Mikrocontroller, analoge Bauelemente und Halbleiterlösungen unter anderem für die Automobil- und Industrieelektronik.
1.103 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Addiss, John William
London, Großbritannien
518
Patente gesamt
31
Fachgebiete
10
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
Betten & Resch
Betten & Resch · München