Select-Gate-Transistor mit Einkristall-Silizium für Dreidimensionalen Speicher

EP3332425 Art B1 13. März 2024

Anmelder: SanDisk Technologies LLC 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP3332425
Aktenzeichen
EP16767505
Anmeldetag
13. September 2016
Veröffentlichung
13. März 2024
Erteilung
13. März 2024
Rechtsraum
EP
IPC
H10B43/27H01L21/28H01L21/02// H10B43/35
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
SanDisk Technologies LLC
Land
🇺🇸 USA

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente
Vertreten von
Tothill, John Paul London, Großbritannien
844
Patente gesamt
28
Fachgebiete
16
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Akustik, Musik & Datenspeicherung Halbleiter & Elektrische Bauelemente Nachrichtentechnik & Telekommunikation Software & Datenverarbeitung Elektronik & Schaltungstechnik Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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