Verfahren zur Herstellung eines Iii-Nitrid-Halbleiterbauelements mit einem Substrat-Durchkontaktierung
EP3333897
Art B1
7. Juni 2023
Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3333897
- Aktenzeichen
- EP17205162
- Anmeldetag
- 4. Dezember 2017
- Veröffentlichung
- 7. Juni 2023
- Erteilung
- 7. Juni 2023
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/768H01L29/417H01L29/40H01L23/498H01L23/538H01L29/778H01L21/48H01L23/14H01L23/15// H01L29/20
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Infineon Technologies AG
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Infineon Technologies
Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.
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Moore, Derek
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