Organischer Dünnschichttransistor, Herstellungsverfahren für Organischen Dünnschichttransistor, Material für Organischen Dünnschichttransistor, Zusammensetzung für Organischen Dünnschichttransistor, Organische Halbleiterschicht und Verbindung

EP3333916 Art B1 18. November 2020

Anmelder: FUJIFILM Corporation, THE UNIVERSITY OF TOKYO, Fujifilm Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3333916
Aktenzeichen: EP16832770
Anmeldetag: 20. Juli 2016
Veröffentlichung: 18. November 2020
Erteilung: 18. November 2020
Rechtsraum: EP
IPC: H01L51/30C07D495/14H01L21/336H01L29/786H01L51/05H01L51/40

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: FUJIFILM Corporation
THE UNIVERSITY OF TOKYO
Fujifilm Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Fujifilm

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Organische Chemie

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