Schwarze Phosphordünnschicht mit Lateralem Pn-Übergang und Verfahren zur Herstellung davon
Anmelder: Korea Research Institute Of Standards And Science 🇰🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3336058
- Aktenzeichen
- EP16206942
- Anmeldetag
- 27. Dezember 2016
- Veröffentlichung
- 11. August 2021
- Erteilung
- 11. August 2021
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- C01B25/02H01L29/12H01L29/70H01L29/778H01L29/10
Abstract
Provided are a lateral p-n junction black phosphorus thin film, and a method of manufacturing the same, and specifically, a lateral p-n junction black phosphorus thin film in which a p-type black phosphorus thin film having a p-type semiconductor property and a n-type black phosphorus thin film having a n-type semiconductor property form a lateral junction by modifying some regions on a surface of the black phosphorus thin film through light irradiation with a compound having a specific chemical structure, and a method of manufacturing the same.
Anmelder
- Firma
- Korea Research Institute Of Standards And Science
- Land
- 🇰🇷 Südkorea
Der Anmelder ist ein südkoreanisches staatliches Forschungsinstitut für Metrologie mit Sitz in Daejeon, bekannt als KRISS. Das Patentportfolio konzentriert sich stark auf Mess-, Prüf- und Zeitmesstechnik, ergänzt durch Halbleiterbauelemente, Software und Medizintechnik. Anmeldungen laufen seit 2002 durchgehend fort.
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Lorenz Seidler Gossel wurde 1962 gegründet und zählt seit über sechs Jahrzehnten zu Deutschlands führenden IP-Kanzleien, Sitz an der Münchner Widenmayerstraße, beschrieben als „boutique with scale“, besonders renommiert im Marken- und Designrecht.