Feldeffekttransistor mit Zweidimensional Verteilten Feldeffekttransistorzellen

EP3338307 Art B1 13. Juli 2022

Anmelder: Raytheon Company 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3338307
Aktenzeichen: EP16754592
Anmeldetag: 9. August 2016
Veröffentlichung: 13. Juli 2022
Erteilung: 13. Juli 2022
Rechtsraum: EP
IPC: H01L29/417H01L29/423H01L29/812

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Raytheon Company
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Raytheon Company

US-amerikanisches Rüstungs- und Technologieunternehmen mit Sitz in Massachusetts, heute Teil von RTX Corporation. Entwickelt Verteidigungssysteme, Radartechnik, Flugabwehr, Sensorik und Luftfahrtelektronik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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