Feldeffekttransistor mit Ringverteilten Feldeffekttransistorzellen

EP3338308 Art B1 4. Juni 2025

Anmelder: Raytheon Company 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3338308
Aktenzeichen: EP16757402
Anmeldetag: 9. August 2016
Veröffentlichung: 4. Juni 2025
Erteilung: 4. Juni 2025
Rechtsraum: EP
IPC: H01L23/66H10D30/87H10D64/23H10D64/27

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Raytheon Company
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Raytheon Company

US-amerikanisches Rüstungs- und Technologieunternehmen mit Sitz in Massachusetts, heute Teil von RTX Corporation. Entwickelt Verteidigungssysteme, Radartechnik, Flugabwehr, Sensorik und Luftfahrtelektronik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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