Verfahren zur Herstellung einer Siliciumnitridsinterkörper mit Hoher Wärmeleitfähigkeit

EP3339270 Art B1 26. Februar 2020

Anmelder: Korea Advanced Institute of Science and Technology, KCC Corporation 🇰🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3339270
Aktenzeichen: EP16837302
Anmeldetag: 17. August 2016
Veröffentlichung: 26. Februar 2020
Erteilung: 26. Februar 2020
Rechtsraum: EP
IPC: C04B35/593C04B35/626

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Korea Advanced Institute of Science and Technology
KCC Corporation
Land: 🇰🇷 Südkorea

🇰🇷 KAIST

Südkoreanische technische Universität und Forschungsinstitution mit Fokus auf Ingenieurwissenschaften, Naturwissenschaften und Technologieentwicklung, unter anderem in Robotik und Elektronik.

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Fachgebiete

Anorganische Chemie & Werkstoffe

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