Trench-Gate-Igbt

EP3340311 Art B1 6. Januar 2021

Anmelder: Renesas Electronics Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3340311
Aktenzeichen: EP17200776
Anmeldetag: 9. November 2017
Veröffentlichung: 6. Januar 2021
Erteilung: 6. Januar 2021
Rechtsraum: EP
IPC: H01L29/739H01L29/06H01L29/40// H01L29/423

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Renesas Electronics Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Renesas Electronics

Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Tokio, spezialisiert auf Mikrocontroller, analoge Bauelemente und Halbleiterlösungen unter anderem für die Automobil- und Industrieelektronik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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