Halbleiterbauelement mit Leitungen und Zugehöriges Herstellungsverfahren
EP3341962
Art B1
19. Juli 2023
Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3341962
- Aktenzeichen
- EP16842509
- Anmeldetag
- 27. Juli 2016
- Veröffentlichung
- 19. Juli 2023
- Erteilung
- 19. Juli 2023
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/033H01L21/3213H01L21/768H01L23/528
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Micron Technology, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Micron Technology
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.
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