Verfahren zum Betrieb von Ferroelektrischen Speicherzellen und Entsprechende Ferroelektrische Speicherzellen

EP3345185 Art B1 13. Januar 2021

Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3345185
Aktenzeichen: EP16842571
Anmeldetag: 18. August 2016
Veröffentlichung: 13. Januar 2021
Erteilung: 13. Januar 2021
Rechtsraum: EP
IPC: G11C11/22H01L27/11507H01L49/02

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Micron Technology, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Micron Technology

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.

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Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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