Verbindung und Verfahren zur Herstellung Davon, Zusammensetzung, Zusammensetzung zur Herstellung einer Optischen Komponente, Zusammensetzung zur Herstellung eines Lithografiefilms, Resistzusammensetzung, Verfahren zur Bildung einer Resiststruktur, Strahlungsempfindliche Zusammensetzung, Verfahren zur Herstellung eines Amorphen Films, Material zur Bildung eines Lithografischen Unterschichtfilms, Zusammensetzung zur Herstellung eines Lithografischen Unterschichtfilms, Verfahren zur Herstellung eines Lithografischen Unterschichtfilms, Verfahren zur Bildung einer Resiststruktur, Verfahren zur Hers
EP3345889
Art A1
11. Juli 2018
Anmelder: Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3345889
- Aktenzeichen
- EP16842008
- Anmeldetag
- 2. September 2016
- Veröffentlichung
- 11. Juli 2018
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- C07C43/23C07D303/28C07B61/00H01L21/00C08L63/00G03F7/021G03F7/09
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Mitsubishi Gas Chemical Company
Japanisches Chemieunternehmen der Mitsubishi-Gruppe mit Fokus auf technische Kunststoffe, Methanol und Spezialchemikalien. Der Konzern beliefert unter anderem die Elektronik- und Verpackungsindustrie.
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