Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements
EP3349240
Art A1
18. Juli 2018
Anmelder: Renesas Electronics Corporation 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3349240
- Aktenzeichen
- EP17208831
- Anmeldetag
- 20. Dezember 2017
- Veröffentlichung
- 18. Juli 2018
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/56H01L23/00// H01L23/31
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Renesas Electronics Corporation
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Renesas Electronics
Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Tokio, spezialisiert auf Mikrocontroller, analoge Bauelemente und Halbleiterlösungen unter anderem für die Automobil- und Industrieelektronik.
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Fachgebiete
Vertreten von
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Betten & Resch
Betten & Resch · München