Verfahren für Kragen für Under-Bump-Metallstrukturen

EP3350829 Art A1 25. Juli 2018

Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3350829
Aktenzeichen: EP16847008
Anmeldetag: 3. August 2016
Veröffentlichung: 25. Juli 2018
Rechtsraum: EP
IPC: H10W72/00H10W72/20

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Micron Technology, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Micron Technology

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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