Epitaktisches Wachstum von Defektfreiem, Einschichtigem Graphen im Wafermassstab auf Dünnen Kobaltschichten
EP3356582
Art B1
16. Dezember 2020
Anmelder: GlobalWafers Co., Ltd., The Board of Trustees of the University of Illinois, SunEdison Semiconductor Limited 🇹🇼
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3356582
- Aktenzeichen
- EP16784623
- Anmeldetag
- 28. September 2016
- Veröffentlichung
- 16. Dezember 2020
- Erteilung
- 16. Dezember 2020
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- C30B25/18C30B29/02H01L29/16C01B32/184
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- GlobalWafers Co., Ltd.
The Board of Trustees of the University of Illinois
SunEdison Semiconductor Limited - Land
- 🇹🇼 Taiwan
🇺🇸
Board of Trustees of the University of Illinois
Aufsichtsgremium der University of Illinois, USA, über das Patente aus der universitären Forschung verwaltet werden.
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