Verfahren zur Herstellung einer Hybridstruktur

EP3365929 Art B1 25. September 2019

Anmelder: Soitec 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3365929
Aktenzeichen: EP16795121
Anmeldetag: 17. Oktober 2016
Veröffentlichung: 25. September 2019
Erteilung: 25. September 2019
Rechtsraum: EP
IPC: H01L41/313H03H9/02

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Soitec
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 Soitec

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

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Fachgebiete

Elektronik & Schaltungstechnik Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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