Halbleiterwafer-Trennungsrissverhinderung unter Verwendung von Peripheren Chip-Gräben
EP3370253
Art B1
27. Oktober 2021
Anmelder: Infineon Technologies Austria AG 🇦🇹
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3370253
- Aktenzeichen
- EP18158468
- Anmeldetag
- 23. Februar 2018
- Veröffentlichung
- 27. Oktober 2021
- Erteilung
- 27. Oktober 2021
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/78
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Infineon Technologies Austria AG
- Land
- 🇦🇹 Österreich
🇦🇹
Infineon Technologies Austria
Österreichische Konzerngesellschaft des deutschen Halbleiterherstellers Infineon mit Sitz in Villach. Entwickelt und fertigt Halbleiterbauelemente für Automobil-, Energie- und Industrieanwendungen.
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Moore, Derek
London, Großbritannien
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