Mos-Transistorstruktur mit Seitlichem Erweitertem Drain und Geteiltem Gate und Verfahren
EP3371831
Art A1
12. September 2018
Anmelder: Texas Instruments Incorporated 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3371831
- Aktenzeichen
- EP16862882
- Anmeldetag
- 2. November 2016
- Veröffentlichung
- 12. September 2018
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/78
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Texas Instruments Incorporated
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Texas Instruments
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Dallas (Texas). Entwickelt und fertigt analoge und eingebettete Halbleiterprodukte, Prozessoren sowie Schaltkreise für Industrie, Automobil- und Konsumelektronik.
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