Verfahren zum Zusammenfügen von Substraten durch Verbinden von Indiumphosphidflächen

EP3374460 Art A1 19. September 2018

Anmelder: Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives, Soitec 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3374460
Aktenzeichen: EP16795267
Anmeldetag: 7. November 2016
Veröffentlichung: 19. September 2018
Rechtsraum: EP
IPC: C09J5/02C09J5/06

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives
Soitec
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 CEA (Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives)

Französisches staatliches Forschungsinstitut mit Sitz in Paris (Verwaltung) und Standorten wie Grenoble und Saclay. Forscht in Kernenergie, erneuerbaren Energien, Mikroelektronik, Werkstoffwissenschaften, Verteidigungstechnik und Informationstechnologien.

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🇫🇷 Soitec

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

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Fachgebiete

Farben, Klebstoffe & Brennstoffe

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