Iii-Nitrid-Feldeffekttransistor mit Zwei Gates
EP3378097
Art B1
31. Dezember 2025
Anmelder: HRL Laboratories, LLC 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3378097
- Aktenzeichen
- EP16866855
- Anmeldetag
- 7. November 2016
- Veröffentlichung
- 31. Dezember 2025
- Erteilung
- 31. Dezember 2025
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H10D30/47H10D64/27H10D64/20H10D62/85// H10D64/68
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- HRL Laboratories, LLC
- Land
- 🇺🇸 USA