Feldeffekttransistor (fet)-Struktur mit Integrierten Gate-Verbundenen Dioden

EP3378156 Art B1 30. Dezember 2020

Anmelder: Raytheon Company 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP3378156
Aktenzeichen
EP16801089
Anmeldetag
8. November 2016
Veröffentlichung
30. Dezember 2020
Erteilung
30. Dezember 2020
Rechtsraum
EP
IPC
H01L21/8234H01L21/8252H01L27/06H01L29/20H01L29/812H03F1/56H03F3/195H03F3/213H03F1/32H01L29/872
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
Raytheon Company
Land
🇺🇸 USA
🇺🇸 Raytheon Company

US-amerikanisches Rüstungs- und Technologieunternehmen mit Sitz in Massachusetts, heute Teil von RTX Corporation. Entwickelt Verteidigungssysteme, Radartechnik, Flugabwehr, Sensorik und Luftfahrtelektronik.

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Fachgebiete

Elektronik & Schaltungstechnik Halbleiter & Elektrische Bauelemente
Vertreten von
Jackson, Richard Eric London, Großbritannien
2.965
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Fachgebiete
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Schwerpunkte
Nachrichtentechnik & Telekommunikation Werkzeug-, Fertigungs- & Drucktechnik Halbleiter & Elektrische Bauelemente Software & Datenverarbeitung Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik Optik & Fototechnik
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