Speichersystem
Anmelder: NXP B.V. 🇳🇱
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3382712
- Aktenzeichen
- EP17164413
- Anmeldetag
- 31. März 2017
- Veröffentlichung
- 4. November 2020
- Erteilung
- 4. November 2020
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- G11C17/16G11C17/18
Abstract
A memory system comprising: a memory cell. The memory cell comprising a poly-fuse-resistor; and a bipolar junction transistor having a collector-emitter channel and a base-terminal. The collector-emitter channel of the bipolar junction transistor is connected in series with the poly-fuse resistor between a supply-voltage-terminal and a ground-terminal. The base-terminal of the bipolar junction transistor is configured to receive a transistor-control-signal to selectively control a current flow through the poly-fuse-resistor.
Anmelder
- Firma
- NXP B.V.
- Land
- 🇳🇱 Niederlande
Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.
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