Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung davon

EP3382760 Art A1 3. Oktober 2018

Anmelder: Renesas Electronics Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3382760
Aktenzeichen: EP18165147
Anmeldetag: 29. März 2018
Veröffentlichung: 3. Oktober 2018
Rechtsraum: EP
IPC: H01L29/78H01L29/06H01L21/336H01L21/265

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Renesas Electronics Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Renesas Electronics

Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Tokio, spezialisiert auf Mikrocontroller, analoge Bauelemente und Halbleiterlösungen unter anderem für die Automobil- und Industrieelektronik.

1.103 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von