Lateraler Diffundierter Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor
EP3385993
Art B1
2. November 2022
Anmelder: CSMC Technologies Fab2 Co., Ltd. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3385993
- Aktenzeichen
- EP16869730
- Anmeldetag
- 25. August 2016
- Veröffentlichung
- 2. November 2022
- Erteilung
- 2. November 2022
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/78H01L29/06H01L29/423H01L29/40
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- CSMC Technologies Fab2 Co., Ltd.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
CSMC Technologies Fab2
CSMC Technologies Fab2 Co., Ltd. ist ein chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Wuxi, der als Foundry Leistungshalbleiter und analoge Bauelemente fertigt. Das Patentportfolio konzentriert sich fast vollständig auf Halbleiter und elektrische Bauelemente, ergänzt um Elektronik, Optik und Mess- und Prüftechnik. Anmeldungen erfolgen seit 2010 bis in die Gegenwart.
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