Auf Hochdotiertem Substrat Geformter Kondensator
EP3387674
Art B1
29. Januar 2025
Anmelder: Microchip Technology Incorporated 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3387674
- Aktenzeichen
- EP16819775
- Anmeldetag
- 7. Dezember 2016
- Veröffentlichung
- 29. Januar 2025
- Erteilung
- 29. Januar 2025
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L23/522H01L23/00H01L23/48H01L25/065
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Microchip Technology Incorporated
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Microchip Technology
US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Chandler, Arizona, bekannt für Mikrocontroller und analoge Halbleiterbauelemente.
1.426 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
-
sgb europe
sgb europe · Hohenschäftlarn