Verwendung einer Nassätzzusammensetzung für Nassätzung eines Halbleitersubstrats mit Si-Schicht und Sin-Schicht

EP3389083 Art B1 15. April 2020

Anmelder: Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3389083
Aktenzeichen: EP17887878
Anmeldetag: 22. September 2017
Veröffentlichung: 15. April 2020
Erteilung: 15. April 2020
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/306H01L21/3213

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Mitsubishi Gas Chemical Company

Japanisches Chemieunternehmen der Mitsubishi-Gruppe mit Fokus auf technische Kunststoffe, Methanol und Spezialchemikalien. Der Konzern beliefert unter anderem die Elektronik- und Verpackungsindustrie.

2.580 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von