Halbleiterbauelement und Herstellungsverfahren dafür
EP3392912
Art A3
31. Oktober 2018
Anmelder: Renesas Electronics Corporation 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3392912
- Aktenzeichen
- EP18153859
- Anmeldetag
- 29. Januar 2018
- Veröffentlichung
- 31. Oktober 2018
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/66H01L29/792H01L27/11568H01L27/11573// H01L21/28
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Renesas Electronics Corporation
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Renesas Electronics
Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Tokio, spezialisiert auf Mikrocontroller, analoge Bauelemente und Halbleiterlösungen unter anderem für die Automobil- und Industrieelektronik.
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Vertreten von
Addiss, John William
London, Großbritannien
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Betten & Resch
Betten & Resch · München