Verfahren zur Herstellung einer Monokristallinen Piezoelektrischen Schicht und Mikroelektronische, Fotonische oder Optische Vorrichtung mit Solch einer Schicht

EP3394323 Art A1 31. Oktober 2018

Anmelder: Soitec 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3394323
Aktenzeichen: EP16819091
Anmeldetag: 21. Dezember 2016
Veröffentlichung: 31. Oktober 2018
Rechtsraum: EP
IPC: C30B25/18C30B29/22H01L21/762H01L41/312

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Soitec
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 Soitec

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

529 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von