Verfahren zur Herstellung einer Einkristallschicht, insbesondere einer Piezoelektrischen Schicht

EP3394324 Art A1 31. Oktober 2018

Anmelder: Soitec 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3394324
Aktenzeichen: EP16819558
Anmeldetag: 21. Dezember 2016
Veröffentlichung: 31. Oktober 2018
Rechtsraum: EP
IPC: C30B25/18C30B29/22H01L21/762H01L41/312

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Soitec
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 Soitec

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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