Verfahren und Vorrichtung für Hochfrequenzsignalstrahlung, Empfang und Verbindungen einer Rückseitigen Integrierten Schaltung
EP3398230
Art A2
7. November 2018
Anmelder: Texas Instruments Incorporated 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3398230
- Aktenzeichen
- EP16882647
- Anmeldetag
- 29. Dezember 2016
- Veröffentlichung
- 7. November 2018
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01Q1/22H01P5/107H01Q13/20H04B10/90
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Texas Instruments Incorporated
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Texas Instruments
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Dallas (Texas). Entwickelt und fertigt analoge und eingebettete Halbleiterprodukte, Prozessoren sowie Schaltkreise für Industrie, Automobil- und Konsumelektronik.
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