Halbleiterbauelement zur Indirekten Detektion von Elektromagnetischer Strahlung und Verfahren zur Herstellung
Anmelder: ams International AG 🇨🇭
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3399344
- Aktenzeichen
- EP17169279
- Anmeldetag
- 3. Mai 2017
- Veröffentlichung
- 30. Juni 2021
- Erteilung
- 30. Juni 2021
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- G01T1/20
Abstract
The semiconductor device comprises a substrate (1) of semiconductor material having a main surface (10), an integrated circuit (2) in the substrate, a photodetector element (3) or array of photodetector elements (3) arranged at or above the main surface, and at least one nanomaterial film (11, 13) arranged above the main surface. At least part of the nanomaterial film has a scintillating property. The method of production includes the use of a solvent to apply the nanomaterial film, in particular by inject printing, by silk-screen printing, by spin coating or by spray coating.
Anmelder
- Firma
- ams International AG
- Land
- 🇨🇭 Schweiz
Ams International ist die schweizerische Konzerneinheit von ams OSRAM, einem Hersteller von Sensoren und optischen Halbleiterkomponenten. Der Anmelder konzentriert sich auf Mess- und Prüftechnik sowie Elektronik, Nachrichtentechnik und Halbleiterbauelemente. Anmeldungen reichen von 2009 bis in die Gegenwart.
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