Verfahren zur Herstellung eines Leistungs-Mosfets mit einem Metallgefüllten Tiefen Quellenkontakt
EP3405978
Art B1
10. Mai 2023
Anmelder: Texas Instruments Incorporated 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3405978
- Aktenzeichen
- EP16885493
- Anmeldetag
- 18. Januar 2016
- Veröffentlichung
- 10. Mai 2023
- Erteilung
- 10. Mai 2023
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/78H01L29/417H01L29/40
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Texas Instruments Incorporated
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Texas Instruments
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Dallas (Texas). Entwickelt und fertigt analoge und eingebettete Halbleiterprodukte, Prozessoren sowie Schaltkreise für Industrie, Automobil- und Konsumelektronik.
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