Elektrisches Charakterisierungsverfahren eines Mos-Transistors auf einem Soi-Schaltkreis

EP3407076 Art B1 1. April 2020

Anmelder: Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3407076
Aktenzeichen: EP18173496
Anmeldetag: 22. Mai 2018
Veröffentlichung: 1. April 2020
Erteilung: 1. April 2020
Rechtsraum: EP
IPC: G01R31/26

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 CEA (Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives)

Französisches staatliches Forschungsinstitut mit Sitz in Paris (Verwaltung) und Standorten wie Grenoble und Saclay. Forscht in Kernenergie, erneuerbaren Energien, Mikroelektronik, Werkstoffwissenschaften, Verteidigungstechnik und Informationstechnologien.

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Fachgebiete

Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik

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